Spre deosebire de tehnologia TN, ecranul TFT utilizează o abordare "penetrantă înapoi" - traiectoria imaginară a luminii nu este de sus în jos, cum ar fi cristalul lichid TN, ci de jos în sus. Această abordare este de a crea un tub special de lumină pe partea din spate a cristalului lichid, iradierea sursei de lumină prin partea inferioară a plăcii. Pe măsură ce electrozii straturilor superioare și inferioare sunt transformați în electrozi FET și un electrod comun, performanța moleculei de cristale lichide se va schimba și atunci când electrodul FET este conductiv și afișajul poate fi obținut prin umbrire și transmisie de lumină și timpul de răspuns este în mare măsură crescut la aproximativ 80ms. Datorită contrastului mai mare decât TN-LCD și culorii mai bogate, frecvența de actualizare a ecranului este, de asemenea, mai rapidă, astfel încât TFT cunoscută sub numele de "True Color". Comparativ cu DSTN, caracteristica principală a TFT-LCD este de a configura un dispozitiv de semiconductor pentru fiecare pixel. Deoarece fiecare pixel poate fi controlat direct printr-un impuls punct. Astfel, fiecare nod este relativ independent și poate fi controlat în mod continuu. Această metodă de proiectare nu numai că îmbunătățește viteza de reacție a ecranului de afișare, dar, de asemenea, poate controla precis nivelul afișajului gri, aceasta este culoarea TFT este mai realistă decât motivul dstn.
În TFT-LCD, funcția TFT este echivalentă cu un tub de comutare. TFT utilizat frecvent este un dispozitiv cu trei terminale. Un strat semiconductor este în general fabricat pe un substrat de sticlă, la ambele capete ale căruia sunt conectate sursa și scurgerea. Iar folia de izolație a porții este conectată cu semiconductorul, iar poarta este aranjată. Curentul dintre sursă și electrodul de scurgere este controlat de tensiunea aplicată la poartă. Pentru un afișaj, fiecare pixel poate fi simplificat structural pentru a privi un cristal lichid între un electrod pixel și un electrod comun. Este mai important să ne gândim la acesta ca la un condensator din unghiul electric. Circuitul echivalent este prezentat în figura 1. Pentru a încărca pixelul p (i, j) al coloanei J Row I, comutatorul T (I, J) este direcționat și tensiunea țintă este aplicată liniei de semnal D (i) . Când electrodul pixel este complet încărcat, chiar dacă întrerupătorul este deconectat, sarcina electrică din condensator este păstrată, iar stratul de cristale lichide dintre electrozii continuă să aibă un efect de câmp de tensiune. Funcția unității de date (coloană) este de a exercita o tensiune țintă pe linia de semnal, în timp ce unitatea de poartă (rândul) este conducta și deconectarea comutatorului. Deoarece tensiunea afișajului pe stratul de cristale lichide poate fi stocată în capacitatea de stocare a fiecărui pixel, stratul de cristale lichide poate funcționa stabil. Această tensiune de afișare prin TFT poate fi de asemenea rescrisă într-o perioadă scurtă de timp, astfel încât chiar și în ecranul LCD de înaltă definiție, nu poate reduce cerințele de calitate a imaginii. Cheia imaginii afișate este orientarea moleculară a cristalului lichid în câmpul electric. În general, orientarea interiorului substratului este tratată astfel încât aranjamentul moleculei de cristal lichid produce deformarea structurală dorită pentru a obține diferite moduri de afișare. Selectați un anumit mod de afișare, în acțiunea câmpului electric, molecula de cristal lichid produce schimbarea de orientare și, prin intermediul potrivirii polarizatorului, determină ca lumina incidentă să treacă prin stratul de cristale lichide puterea de schimbat. Pentru a realiza afișarea imaginii. Într-un cuvânt, TFT-LCD și TN-LCD pasive, matrice simplu STN-LCD, este în fiecare pixel al ecranului LCD are un tranzistor de film subțire (TFT), poate depăși în mod eficient crosstalk atunci când nu este selectat, astfel încât static caracteristicile ecranului LCD de afișare și numărul de linii de scanare, Prin urmare, calitatea imaginii este mult îmbunătățită. și unitatea de comutare (care este, TFT) caracteristici, este necesară pentru a satisface rezistența de stat scăzut, rezistența închis-stare este foarte mare.
