Conform rapoartelor mass-media străine, inginerii de la Institutul Electronic de Tehnologia Informației (Leti), o filială a Agenției Franceze pentru Energie Atomică (CEA), susțin că noua lor metodă de producere a micro-LED-urilor va revoluționa producția de afișaje de înaltă performanță, LCD-uri și design excelent de calitate a imaginii și eficiență energetică în comparație cu LED-urile organice (OLED-uri).
Francois Templier, directorul strategiei de marketing pentru Leti Photonics, a introdus recent un nou proces de fabricație care combină semiconductorii cu emisie de lumină cu circuite de conducători auto pe bază de siliciu la Săptămâna afișării Societății Internaționale de Afișare a Informațiilor (SID) din San Jose, California.
Dezvoltarea unor afișaje de dimensiuni mari care necesită o rezoluție mai mare a imaginii înseamnă că sunt necesare dispozitive electronice mai rapide pentru a conduce toate tipurile de afișare, inclusiv noul Micro comercial Samsung, care include milioane de emițători de pixeli individuali. Formatul LED și alte produse.
Cu toate acestea, circuitele de antrenare existente bazate pe modele de matrice active cu tranzistoare de film subțire (TFT) nu oferă cerințele curente și de viteză necesare. Noua metodă dezvoltată de Leti produce un afișaj de înaltă performanță GaN Micro LED condus de CMOS, cu un proces simplificat de transfer care elimină necesitatea unei planșe standard TFT. LED-urile Micro, roșii, verzi și albastre sunt stivuite direct pe circuitul micro CMOS înainte de transferarea fiecărei unități la un substrat simplu de recepție, iar emițătorii de lumină și planul de bază sunt fabricați simultan pe o scală de wafer pe o singură linie de procesare a semiconductorilor.
